[κΈ°μ λ΄μ€]π HBM4 μμ¨ κ²©μ°¨, μλΉλμ νκ°λ¦
π€ AI μμ± μλ¦Ό: μ΄ κΈμ Perplexity AIκ° μμ±νμ΅λλ€.
μλ‘
μΌμ±μ μμ SKνμ΄λμ€κ° HBM4(κ³ λμνλ©λͺ¨λ¦¬ 6μΈλ) μμ₯μμ μΉμ΄ν κ²½μμ λ²μ΄κ³ μμ΅λλ€. μλ μ λͺ©μ²λΌ μμ¨ κ²©μ°¨κ° 1.5λ°°λ‘ μλΉλμ λ¬Όλ λ°°λΆμ μ’μ°ν μ λ§μ΄λ©°, μΌμ±μ λ€μλ¬ μμ° λμ μΌλ‘ νμ λ€μ§κΈ° λμ°μ΅λλ€[1][2]. μ΄λ AI λ°λ체 μμ νμ¦ μ κΈλ‘λ² λ©λͺ¨λ¦¬ μμ₯ μ£ΌλκΆμ μ₯κΈ° μν ν΅μ¬ μΉλΆμ²μ λλ€.
λ³Έλ‘
1. μΌμ±μ μμ μ΄κ²©μ°¨ μΉλΆμμ μ±κ³Ό
μΌμ±μ μλ HBM4μμ λ°μ΄ν° μ μ‘ μλ μ΄λΉ 11.7Gbλ₯Ό ꡬνν΄ μ κ³ μ΅κ³ μμ€μ λ¬μ±νμ΅λλ€. μ΄λ μ΄μ HBM3Eμ 9.6Gbλ₯Ό μννλ©°, μ체 4λλ Έ νμ΄λ리 곡μ μΌλ‘ λ‘μ§ λ€μ΄λ₯Ό μμ°ν΄ μμ€ν ν΅ν©μ κ°νν©λλ€[1]. μμ¨ μμ νλ‘ μλΉλμΒ·AMDμ λ€μλ¬ μ μ λ©ν μμ μ΄λ©°, μ¬ν΄ HBM μμ₯ μ μ μ¨ 30%λλ‘ 2λ°° μμΉ μ λ§μ λλ€[1][2].
2. SKνμ΄λμ€μ μμ μ κ³΅κΈ μ°μ
SKνμ΄λμ€λ μλΉλμ HBM4 μμ 70% κ³΅κΈ κ³μ½μ 체결νκ³ μ΄λ―Έ μμ° λ¨κ³μ μ§μ νμ΅λλ€. TSMC νμ΄λ리 μμ‘΄μλ λΆκ΅¬νκ³ μμ₯ μ μ μ¨ 54%λ‘ μ λλ₯Ό μ μ§νλ©°, μ§λν΄ 2λΆκΈ° HBM μμ₯ 62%λ₯Ό μ°¨μ§νμ΅λλ€[2]. μ¬ν΄λ 54% μ μ μ¨λ‘ μΌμ±(28%)μ μλν κ²μΌλ‘ μΉ΄μ΄ν°ν¬μΈνΈλ¦¬μμΉκ° μμΈ‘ν©λλ€[2].
3. μμ¨ κ²©μ°¨μ μμ₯ μν₯
HBM4 μμ¨μμ SKνμ΄λμ€κ° μΌμ±λ³΄λ€ 1.5λ°° μμ μλΉλμ λ¬Όλ λ°°λΆμ΄ SK μ°μΈλ‘ κΈ°μΈ κ°λ₯μ±μ΄ ν½λλ€[2]. κ·Έλ¬λ μΌμ±μ λΉ λ₯Έ μμ¨ κ°μ κ³Ό μ¦μ€ κ°μνλ‘ 2027λ λ¬Όλ νλκ° κΈ°λλλ©°, μ 체 HBM μμ₯μ μμ¬ 80% μ΄μ λ μ ν μ λ§μ λλ€[3]. μ΄λ AI μΉ©μ μμ μ¦κ°λ‘ λ°λ체 μμ μ΄μ΅ 424μ‘°μ κ·λͺ¨ μμ₯μ νμ±ν©λλ€[2].
κ²°λ‘
HBM4 κ²½μμ μΌμ±μ κΈ°μ νμ κ³Ό SKνμ΄λμ€μ κ³΅κΈ μμ μ±μ΄ λ§λΆλ μ리μ λλ€. μμ¨ κ²©μ°¨ μ’νκΈ°μ μ±κ³΅ν μΌμ±μ΄ μλΉλμ μΈμ¦μ λ°μΌλ©΄ μμ₯ νλκ° λ°λ μ μμΌλ, SKνμ΄λμ€ μ λ μ μ§ κ°λ₯μ±μ΄ λμ΅λλ€. νκ΅ λ©λͺ¨λ¦¬ μ κ³λ AI μλ κΈλ‘λ² λ¦¬λμμ κ°νν κΈ°νμ λλ€.